今天我們會(huì)為大家?guī)?lái)縫隙電磁泄漏的措施，希望通過(guò)我們的介紹讓您對(duì)常州屏宇屏蔽設(shè)備有限公司等問(wèn)題有更深入的了解
一般情況下，屏蔽機(jī)箱上的不同部分的結(jié)合處不可能完全接觸，只能在某些點(diǎn)接觸上，這構(gòu)成了一個(gè)孔洞陣列？p隙是造成屏蔽機(jī)箱屏蔽效能降級(jí)的主要原因之一。在實(shí)際工程中，常常用縫隙的阻抗來(lái)衡量縫隙的屏蔽效能？p隙的阻抗越小，則電磁泄漏越小，屏蔽效能越高。
縫隙處的阻抗：縫隙的阻抗可以用電阻和電容并聯(lián)來(lái)等效，因?yàn)榻佑|上的點(diǎn)相當(dāng)一個(gè)電阻，沒(méi)有接觸的點(diǎn)相當(dāng)于一個(gè)電容，整個(gè)縫隙就是許多電阻和電容的并聯(lián)。低頻時(shí)，電阻分量起主要作用；高頻時(shí)，電容分量起主要作用。由于電容的容抗隨著頻率升高降低，因此如果縫隙是主要泄漏源，則屏蔽機(jī)箱的屏蔽效能優(yōu)勢(shì)隨著頻率的升高而增加。但是，如果縫隙的尺寸較大，高頻泄漏也是縫隙泄漏的主要現(xiàn)象。
影響電阻成分的因素：影響縫隙上電阻成分的因素主要有：接觸面積（接觸點(diǎn)數(shù)）、接觸面材料（一般較軟的材料接觸電阻較。、接觸面的清潔程度、接觸面的壓力（壓力要足以使接觸點(diǎn)穿透金屬表層氧化層）、氧化腐蝕等。
影響電容成分的因素：根據(jù)電容器原理，很容易知道：兩個(gè)表面之間距離越近，相對(duì)的面積越大，則電容越大。
解決縫隙泄漏的措施：
1） 接觸面的重合面積，這可以減小電阻、增加電容。
2） 使用盡量多的緊固螺釘，這也可以減小電阻、增加電容。
3） 保持接觸面清潔，減小接觸電阻。
4） 保持接觸面較好的平整度，這可以減小電阻、增加電容。
5） 使用電磁密封襯墊電磁，縫隙電磁泄漏的措施消除縫隙上不接觸點(diǎn)。
推薦您閱讀這篇文章：
在電子設(shè)備及電子產(chǎn)品中，電磁干擾（Electromagnetic Interference）能量通過(guò)傳導(dǎo)性耦合和輻射性耦合來(lái)進(jìn)行傳輸。為滿(mǎn)足電磁兼容性要求，對(duì)傳導(dǎo)性耦合需采用濾波技術(shù)，即采用EMI濾波器件加以抑制；對(duì)輻射性耦合則需采用屏蔽技術(shù)加以抑制。在當(dāng)前電磁頻譜日趨密集、單位體積內(nèi)電磁功率密度急劇增加、高低電平器件或設(shè)備大量混合使用等因素而導(dǎo)致設(shè)備及系統(tǒng)電磁環(huán)境日益惡化的情況下，其重要性就顯得更為突出。
屏蔽是通過(guò)由金屬制成的殼、盒、板等屏蔽體，將電磁波局限于某一區(qū)域內(nèi)的一種方法。由于輻射源分為近區(qū)的電場(chǎng)源、磁場(chǎng)源和遠(yuǎn)區(qū)的平面波，因此屏蔽體的屏蔽性能依據(jù)輻射源的不同，在材料選擇、結(jié)構(gòu)形狀和對(duì)孔縫泄漏控制等方面都有所不同。在設(shè)計(jì)中要達(dá)到所需的屏蔽性能，則需首先確定輻射源，明確頻率范圍，再根據(jù)各個(gè)頻段的典型泄漏結(jié)構(gòu)，確定控制要素，進(jìn)而選擇恰當(dāng)?shù)钠帘尾牧希O(shè)計(jì)屏蔽殼體。
“縫隙電磁泄漏的措施”和另外屏蔽機(jī)房一篇文章都給大家提供一些幫助，我們會(huì)在后續(xù)精心準(zhǔn)備更多有關(guān)常州屏宇屏蔽設(shè)備有限公司的內(nèi)容，如果不想錯(cuò)過(guò)，建議收藏我們的網(wǎng)站吧！